電暈處理工藝路線有三種：第一種是在薄膜生產(chǎn)中進(jìn)行處理；第二種是在印刷、復(fù)合中進(jìn)行處理；第三種是在薄膜生產(chǎn)中進(jìn)行第一次處理，再在印刷、復(fù)合中進(jìn)行第二次處理。

對后兩種工藝路線，由于是處理后當(dāng)即印刷、復(fù)合，因此，不存在處理后放置過久、效果不穩(wěn)定、表面張力下降的問題。但對第一種工藝路線，可能會相隔較長時間才印刷、復(fù)合，由于處理效果變差，出現(xiàn)印刷、復(fù)合質(zhì)量問題。所以，要求電暈處理與印刷的間隔時間縮短。

傳統(tǒng)的6052聚酰亞胺薄膜導(dǎo)熱系數(shù)僅為0．16 w／(m·K)左右，應(yīng)用于微電子的高密度和高速化運(yùn)行時容易出現(xiàn)電路過熱，影響元器件和集成電路的穩(wěn)定性，高導(dǎo)熱PI膜是順應(yīng)市場需求而產(chǎn)生的產(chǎn)品，其制備工藝和原理與耐電暈PI膜類似，都是將具有特殊功能的納米填料摻雜人到聚酰胺酸樹脂中，再高溫亞胺化成膜，使得薄膜具有相應(yīng)的功能。同樣，高導(dǎo)熱PI膜所需要解決的問題也是如何將納米填料均勻分散在樹脂體系中。

采用KH550偶聯(lián)劑對氮化鋁粒子表面進(jìn)行物化處理，提高有機(jī)一無機(jī)兩相界面的結(jié)合力，然后使用原位聚合將納米氮化鋁加入到聚酰亞胺中，納米氮化鋁含量為13％時，納米復(fù)合薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)由純PI膜的0．16 w／(m·K)提高至0．26W／(m·K)。

公開了一種高導(dǎo)熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，使用表面經(jīng)偶聯(lián)劑處理后的氮化鋁或碳化硅改性傳統(tǒng)的聚酰胺酸樹脂，再流延至不銹鋼帶上，經(jīng)高溫干燥后得到高導(dǎo)熱低熱膨脹系數(shù)的PI膜，其導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到0．61 w／(m·K)以上，而熱膨脹系數(shù)在30 ppm／K以下。